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J-GLOBAL ID：201702252505572095   整理番号：17A0281476

RF集積受動素子用のウエハレベルでの懸垂式高Q値MIMコンデンサの設計と製作

Design and fabrication of wafer level suspended high Q MIM capacitors for RF integrated passive devices

著者 (6件)： ZHENG Tao (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  ZHENG Tao (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  HAN Mei (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  HAN Mei (Univ., Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Gaowei (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  LUO Le (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 23  号： 1  ページ： 67-73  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無線通信市場の急速な成長に伴い,集積受動素子(IPD)への関心が高まっている。本論文では,薄膜シリコン技術とSi塊のエッチング技術を組合わせたSiに基づく高Q値の新しい懸垂式金属-絶縁体-金属(MIM)コンデンサの製造技術を示した。Cu/Si₃N₄/TiW/Cu積層構造に基づく一連の高Q値MIMコンデンサを設計し,低抵抗Siウエハ上に二段階背面エッチング法により作製した。3.3pFの懸垂式MIMコンデンサの2GHzにおけるQ値は,非懸垂式コンデンサのそれよりも約79%高く,Q_maxはそれぞれ46.8から61.9に上昇した。 この懸垂技術を用いることで,MIMコンデンサのRF性能が向上し,加工費用が低下した。また,基板と基板の寄生特性及び誘電損失を含む10要素の等価モデルを用いて,懸垂式MIMコンデンサを10GHz迄十分に当てはめられた。

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  懸垂 ,  エッチング ,  Q値 ,  窒化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  モデリング ,  計算機シミュレーション ,  半導体材料 ,  タングステン化合物 ,  チタン化合物 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： *MIMコンデンサ ,  Siウエハ ,  デバイスシミュレーション

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (9件)： RF ,  集積 ,  受動素子 ,  ウエハレベル ,  懸垂 ,  Q値 ,  MIMコンデンサ ,  設計 ,  製作