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J-GLOBAL ID：201702252530927431   整理番号：17A1550634

ナノ構造CuIn_3S_5とCuIn_5S_8薄膜の偏光解析法による特性評価と光学異方性【Powered by NICT】

Ellipsometric characterization and optical anisotropy of nanostructured CuIn₃S₅ and CuIn₅S₈ thin films

著者 (4件)： Akkari F. Chaffar (Universite Tunis ElManar, Ecole Nationale d′Ingenieurs de Tunis, Laboratoire de Photovoltaieque et Materiaux Semiconducteurs, BP37, 1002 Le Belvedere, Tunis, Tunisia) ,  Abdelkader D. (Universite Tunis ElManar, Ecole Nationale d′Ingenieurs de Tunis, Laboratoire de Photovoltaieque et Materiaux Semiconducteurs, BP37, 1002 Le Belvedere, Tunis, Tunisia) ,  Gallas B. (Institut des NanoSciences de Paris-CNRS-Universite Pierre et Marie Curie, 4 place Jussieu, 75252 Paris Cedex 05, France) ,  Kanzari M. (Universite Tunis ElManar, Ecole Nationale d′Ingenieurs de Tunis, Laboratoire de Photovoltaieque et Materiaux Semiconducteurs, BP37, 1002 Le Belvedere, Tunis, Tunisia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 156-160  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,視射角蒸着法(GLAD)によりCuIn_3S_5とCuIn_5S_8薄膜を作製した。一般的に,この方法はナノ構造の形成を促進し,著者らの特別な場合では,入射材料フラックスに対して基板を傾けるとハロゲンランプを用いて基板を加熱することによってこれら二種の材料のナノロッドを開発することができる。ナノロッドは基板に垂直にと同じ方向に長くない入射物質フラックスの方向に傾斜した。(SEM)は光学異方性をもたらした。この光学異方性を確実にするために,著者らは偏光解析法による試料,入射3角で50°,60°および70°を特性化した。入射の各角度において,三の測定を異なる方位角00°,45°および90°で行った。これらの偏光解析測定は,屈折率,膜の厚さとCuIn_3S_5とCuIn_5S_8試料の光学定数,誘電率などの決定を決定するための正しいモデルを得ることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *偏光解析法 ,  ハロゲン電球 ,  光学定数 ,  *キャラクタリゼーション ,  ナノロッド ,  *ナノ構造 ,  誘電率 ,  方位角 ,  *薄膜 ,  屈折率
準シソーラス用語： 斜め蒸着 ,  *光学異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 視射角蒸着 ,  ナノ構造 ,  Ellipsometry ,  CuIn_3S_5CuIn_5S_8 ,  光学異方性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ構造 ,  薄膜 ,  偏光解析法 ,  特性評価 ,  光学異方性