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J-GLOBAL ID：201702252676146634   整理番号：17A1447615

CdS/シリコンナノスクリューフォトレジスタの作製と光感度【Powered by NICT】

Fabrication and Photosensitivity of CdS/Silicon Nanoscrew Photoresistor

著者 (6件)： Liu Jing (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Yi Futing (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhou Yue (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Wang Bo (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Zhang Tianchong (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Wang Yuting (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
資料名： Chemistryselect  (Chemistryselect)
巻： 2  号： 27  ページ： 8577-8582  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2528A  ISSN： 2365-6549  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4 8および12エッチングサイクルに対応するアスペクト比3 6および9のシリコンナノスクリューは,「Boschプロセス」,400から1000nmの波長で10%以下に反射を低減できると塩化セシウム(CsCl)自己集合リソグラフィーと誘導結合プラズマ(ICP)ドライエッチングにより作製した硫化カドミウム(CdS)膜の層をフォトレジスタへのシリコンナノスクリュー表面にカバーしている。XRDパターンは,ナノスクリューの両方に充填したCdSを示し,平面表面は十分に結晶化した。大表面比を持つナノスクリュー基板にはこの敏感な材料の光吸収と量,平面のものと比較してCdS光導電セルの光感度を明らかに改善を増加させることができる。しかし,ナノスクリューのアスペクト比ではないことのための高アスペクト比はCdSパッケージの困難性を増加させる,より良い大きかった。光線過敏応答試験結果は,6アスペクト比を持つナノスクリューフォトレジスタを異なる光照射下で最良の性能を持つことを示した。10000μW/cm~2により,最良の光感度応答はナノスクリュー試料に対して141に達成した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アスペクト比 ,  リソグラフィー ,  X線回折 ,  波長 ,  誘導結合プラズマ ,  *硫化カドミウム ,  結晶化 ,  塩化セシウム ,  光照射 ,  ドライエッチング ,  光吸収 ,  自己集合 ,  *光伝導素子
準シソーラス用語： 高アスペクト比 ,  *光感度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 硫化カドミウム1 ,  製造2 ,  ナノスクリュー3 ,  フォトレジスタ4

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： CdS ,  作製 ,  光感度