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J-GLOBAL ID：201702252816470455   整理番号：17A1185990

強誘電性を評価するためのマルチスケール特性評価法の解釈:GaFeO_3の1例【Powered by NICT】

Interpretation of multiscale characterization techniques to assess ferroelectricity: The case of GaFeO₃

著者 (4件)： Martin Simon (Institut des Nanotechnologies de Lyon, INSA de Lyon, Universite de Lyon, UMR CNRS 5270, 7, avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France) ,  Baboux Nicolas (Institut des Nanotechnologies de Lyon, INSA de Lyon, Universite de Lyon, UMR CNRS 5270, 7, avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France) ,  Albertini David (Institut des Nanotechnologies de Lyon, INSA de Lyon, Universite de Lyon, UMR CNRS 5270, 7, avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France) ,  Gautier Brice (Institut des Nanotechnologies de Lyon, INSA de Lyon, Universite de Lyon, UMR CNRS 5270, 7, avenue Capelle, F-69621 Villeurbanne, France)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 172  ページ： 47-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,薄膜の強誘電性を評価し,分極電圧ヒステリシスと圧電応答力顕微鏡法によるナノスケールでのマクロスケールでのパルスレーザ蒸着成長させたGaFeO3薄膜にこの手順を適用するため徹底的な実験手順を提案した。GaFeO3は室温でマルチフェロイック性にとって重大な候補,フェリ磁性と強誘電性である。しかし,そのような薄膜の強誘電分極の明確測定は困難なままである。漏れ電流を減少させるためにドープしたが,試料は分極電流の検出を可能にするにはあまりにも漏れであったが,圧電応答力顕微鏡画像では,実際にある条件で得られることを示した。それにもかかわらず,走査プローブ法から得た画像はこのような状況で疑問視しなければならない。これは,人為的画像と真の強誘電挙動を区別するためにはるかに高い周波数でのPFM画像を得るために提案した理由である。PbZrTiO3試料で得られた結果との比較と結びつけ,方法の適用は,GaFeO3試料の強誘電性を除外することを可能にする。GaFeO3の問題を超えて,本研究の目的は漏れ膜の強誘電性を客観的に評価できる方法を提案することである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： パルスレーザ蒸着 ,  薄膜 ,  漏れ電流 ,  *強誘電性 ,  分極 ,  ドーピング ,  *キャラクタリゼーション ,  プローブ ,  フェリ磁性 ,  電圧 ,  ヒステリシス ,  画像
準シソーラス用語： 強誘電分極 ,  ナノスケール ,  圧電応答力顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 圧電応答力顕微鏡 ,  PUND ,  GaFeO_3 ,  PbZrTiO_3

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電性 ,  評価 ,  マルチスケール ,  特性評価