Liang C. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA について
Zhang E. X. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Alles M. L. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Schrimpf R. D. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Fleetwood D. M. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Koester S. J. について
Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA について
IEEE Transactions on Nuclear Science について
MOSFET について
不動態化 について
移動度 について
低周波雑音 について
黒リン について
バイアス について
焼なまし について
電圧依存性 について
ゲート絶縁膜 について
雑音 について
正孔捕獲 について
サブ閾値スイング について
ゲート電圧 について
デバイス特性 について
総電離線量 について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
トランジスタ について
不動態化 について
黒リン について
トランジスタ について
総電離線量 について