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J-GLOBAL ID：201702253086283816   整理番号：17A0825202

HfO_2~-不動態化した黒リントランジスタに及ぼす総電離線量効果【Powered by NICT】

Total Ionizing Dose Effects on HfO₂-Passivated Black Phosphorus Transistors

著者 (8件)： Liang C. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Su Y. (Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA) ,  Zhang E. X. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Ni K. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Alles M. L. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Schrimpf R. D. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Fleetwood D. M. (Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Koester S. J. (Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 170-175  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気応力と10keV X線照射とアニーリング応答はHfO_2ゲート誘電体を有するHfO_2~-不動態化した黒リン(BP)MOSFETを評価した。素子特性は,少なくとも±1Vまでは一定ゲート電圧ストレス中安定であった。サブしきい値スイングにおける有意な負のしきい値シフト,移動度劣化,と増加は,正および負のバイアス照射中に起こる。HfO_2ゲート誘電体中の正孔捕獲は,これらの不動態化したBP MOSFETにおけるTID応答を支配した。電気パラメータの可逆性と低周波雑音の大きさは照射後のバイアス切替アニーリング中に観察された。低周波雑音の電圧依存性は素子を照射し,アニールした後の雑音に寄与する欠陥のトラップ分布はエネルギーがより均一になることを示唆する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *不動態化 ,  移動度 ,  低周波雑音 ,  *黒リン ,  バイアス ,  焼なまし ,  電圧依存性 ,  ゲート絶縁膜 ,  雑音
準シソーラス用語： 正孔捕獲 ,  サブ閾値スイング ,  ゲート電圧 ,  デバイス特性 ,  *総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不動態化 ,  黒リン ,  トランジスタ ,  総電離線量