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J-GLOBAL ID：201702253133550259   整理番号：17A1999842

マグネトロンスパッタリングと超臨界流体堆積法を用いて蒸着した銅薄膜の比較研究【Powered by NICT】

A comparative study of copper thin films deposited using magnetron sputtering and supercritical fluid deposition techniques

著者 (15件)： Giroire B. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Giroire B. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Ali Ahmad M. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Ali Ahmad M. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Aubert G. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Aubert G. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Teule-Gay L. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Teule-Gay L. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Michau D. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Michau D. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Watkins J.J. (Department of Polymer Science and Engineering, University of Massachusetts Amherst, 120 Governors Drive, Amherst, MA 01003, United States) ,  Aymonier C. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Aymonier C. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Poulon-Quintin A. (CNRS, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France) ,  Poulon-Quintin A. (Univ. Bordeaux, ICMCB, UPR 9048, 87 Avenue Dr A. Schweitzer, F-33600 Pessac, France)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 643  ページ： 53-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶度,微細構造,表面形態および電気伝導率の比較から,銅膜の堆積のために提案された,超臨界流体化学蒸着(SFCD)とRFマグネトロンスパッタリング法を使用することである。両製造方法は,ナノ結晶Cu膜(<100nm)をもたらすが,SFCDは堆積物中に同じAlN基板温度は高度の結晶性へのアクセスを与える。膜特性に基づいて,還元剤としてH_2を用いたRFマグネトロンスパッタした銅膜とSFCDの行われる電気的性質の変化の比較。SFCD技術を用いた場合,均一歪値は有意に減少し,結晶性は増加する同じ結晶サイズのより低い抵抗率値をもたらす高である。本研究では,低い抵抗値を持つ高品質ナノ構造銅薄膜を製造するためのSFCD技術の実行可能性を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基板温度 ,  電気伝導率 ,  電気抵抗率 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  窒化アルミニウム ,  化学蒸着 ,  *超臨界流体 ,  *銅 ,  *薄膜 ,  ナノ結晶 ,  電気的性質 ,  結晶度
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  表面形態 ,  *銅薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 銅 ,  薄膜 ,  超臨界流体化学蒸着 ,  スパッタリング ,  Resistivity ,  Microstructure

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  超臨界流体 ,  堆積 ,  蒸着 ,  銅薄膜 ,  研究