Koukoula T. について
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece について
Kioseoglou J. について
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece について
Kehagias Th. について
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece について
Furtmayr F. について
Walter Schottky Institute, Technical University of Munich, D-85748 Garching, Germany について
Eickhoff M. について
Institute of Experimental Physics I, Justus-Liebig-University Giessen, D-35392 Giessen, Germany について
Kirmse H. について
Institute of Physics, Humboldt University of Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany について
Karakostas Th. について
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece について
Komninou Ph. について
Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece について
Materials Science in Semiconductor Processing について
ナノワイヤ について
ナノ構造 について
アルミニウム について
ケイ素 について
自己集合 について
窒化アルミニウム について
島状構造 について
アモルファスシリコン について
MBE成長 について
窒化ガリウム について
格子不整合 について
界面 について
前処理 について
核形成 について
HRTEM について
高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM) について
定量的HRTEM解析 について
幾何学的位相解析 について
サファイア基板 について
GaNナノワイヤ について
無触媒成長 について
固体デバイス製造技術一般 について
固体デバイス材料 について
自己集合 について
GaN について
ナノワイヤ について
界面特性 について