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J-GLOBAL ID：201702253206015341   整理番号：17A1563548

超高速相変化メモリ応用のためのSiO_2ドーピングによるSb材料の熱安定性の改善【Powered by NICT】

Improved thermal stability of Sb materials by SiO₂ doping for ultra-fast phase change memory application

著者 (8件)： Hu Yifeng (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Hu Yifeng (State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Zhu Xiaoqin (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Zou Hua (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  You Haipeng (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Shen Dahua (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Song Sannian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 727  ページ： 986-990  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2~ドープSb材料は,その高い結晶化温度(~239 °C),大きな結晶化活性化エネルギー(4.05 eV),及び良好なデータ保持能力(162°C,10年間)のために,相変化メモリ(PCM)利用のための有望な候補であることを証明した。バンドギャップは拡大し,粒径はSiO_2ドーピングにより精密化した。可逆抵抗遷移はSiO_2~ドープSb材料に基づくPCMセルで5nsと短い電気パルスによって達成することができる。低動作電力消費(RESET動作1.1×10~ 11Jのエネルギー)を得た。さらに,SiO_2~ドープSb材料は2.5×10~5サイクルの良好な耐久性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 晶出温度 ,  バンドギャップ ,  *アンチモン ,  電力消費 ,  結晶化 ,  粒径 ,  *熱安定性 ,  耐久性 ,  活性化エネルギー ,  精密化 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 電気パルス ,  データリテンション ,  *相変化メモリ ,  *超高速 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Sb材料 ,  SiO_2~-ドーピング ,  熱安定性 ,  高速 ,  低電力

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  ガラスの製造  (YC02020O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化メモリ ,  応用 ,  ドーピング ,  Sb ,  熱安定性