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J-GLOBAL ID：201702253223304336   整理番号：17A1560088

人工ニューロン及びシナプス素子のためのナノスケールHfO_2~を基にしたRRAMデバイスにおけるしきい値とマルチレベル抵抗スイッチング特性の二重機能性【Powered by NICT】

Dual functionality of threshold and multilevel resistive switching characteristics in nanoscale HfO₂-based RRAM devices for artificial neuron and synapse elements

著者 (5件)： Woo Jiyong (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Woo Jiyong (School of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, United States) ,  Lee Dongwook (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Koo Yunmo (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea) ,  Hwang Hyunsang (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 182  ページ： 42-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2~ベース抵抗メモリ(RRAM)素子におけるしきい値とマルチレベルスイッチング挙動運転電流に対する二重機能性の依存性を示した。これらのデバイスは,神経形態学的計算応用のための電子ニューロンとシナプスを生成するために使用できる。シナプスとして作用する高電流(100μA)運転RRAMにおける酸素空格子点(V_0)の移動により駆動される導電性フィラメント(CF)の形成と破壊の制御は,マルチレベルコンダクタンス状態達成を可能にする。一方,低電流領域(≦10μA)におけるデバイスの動作を記憶しきい値スイッチングへの遷移,電圧印加によってのみ活性化されるをもたらした。この挙動はPoole-Frenkelベース解析モデルを用いて作製した数V_0から成る弱いCFにより記述した。,低電流で動作するRRAMにおけるしきい値スイッチングは,蓄積された入力が臨界値を越えるとニューロン出力スパイクの発生に一つの役割を果たしている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ニューロン ,  *スイッチング ,  *シナプス ,  電流 ,  解析モデル
準シソーラス用語： 導電性フィラメント ,  酸素空格子点 ,  神経形態学 ,  抵抗メモリ ,  *機能性 ,  *スイッチング特性 ,  *マルチレベル ,  *ReRAM ,  *ナノスケール ,  *シナプス素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 抵抗スイッチングメモリ(RRAM) ,  神経形態学的応用 ,  しきい値スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 人工ニューロン ,  シナプス素子 ,  ナノスケール ,  RRAM ,  しきい値 ,  マルチレベル ,  スイッチング特性 ,  機能性