Tanaka Chika について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan について
Saitoh Masumi について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan について
Ota Kensuke について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan について
Ishikawa Takayuki について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan について
Numata Toshinori について
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan について
Microelectronics Journal について
線形性 について
素子構造 について
電流電圧特性 について
ナノワイヤ について
三次元 について
回路特性 について
キャラクタリゼーション について
漂遊容量 について
モデルパラメータ について
MuGFET について
TCAD について
寄生抵抗 について
パラメータ抽出 について
ナノワイヤトランジスタ について
トライゲート について
パラメータ抽出 について
ナノワイヤトランジスタ について
トライゲート について
BSIM4 について
SPICEモデル について
トランジスタ について
トライゲート について
Si について
ナノワイヤトランジスタ について
パラメータ抽出 について