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J-GLOBAL ID：201702253313373074   整理番号：17A0665687

電界効果トランジスタにおける導電性原子間力顕微鏡で観察した2,2′,6,6′-テトラフェニル-ジピラニリデン薄膜における不揮発性抵抗メモリ効果【Powered by NICT】

A non-volatile resistive memory effect in 2,2′,6,6′-tetraphenyl-dipyranylidene thin films as observed in field-effect transistors and by conductive atomic force microscopy

著者 (7件)： Courte Marc (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 637371, Singapore. [e-mail]) ,  Surya Sandeep G. ,  Thamankar Ramesh ,  Shen Chao ,  Rao V. Ramgopal ,  Mhailsalkar Subodh G. ,  Fichou Denis
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 6  ページ： 3336-3342  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きな平面quinoiedπ共役複素環,2,2′,6,6′-テトラフェニルジピラニリデン(DIPO Ph_4)の電荷輸送特性を電界効果トランジスタ(FET)構造と導電性原子間力顕微鏡(c AFM)により調べた。FET特性は2×10~ 2cm~2V~ 1s~ 1とオン/オフ比10~4までの正孔移動度を持つ明確なp型挙動を示した。伝達特性I_d/V_gは抵抗メモリ効果の典型的な明確なヒステリシスを示した。この記憶効果は,再び対向電極として近隣の金トップコンタクトを用いた横モードにおけるc-AFMにより観察された。A FMチップと上部電極間の可変距離D=0.5 9.0μmに対して記録されたc-AFM電流応答は低電圧0.0 3.0V領域における抵抗スイッチング挙動を示した。低周波数で行った反復「書き込み-読み出し-消去-読み出し」サイクルは,サイクル操作中の10~2の安定なオン/オフ比をもつ高抵抗および低抵抗状態の形で不揮発性メモリ効果を明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶効果 ,  *非揮発性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  不揮発性メモリ ,  横モード ,  ヒステリシス ,  *薄膜
準シソーラス用語： 読出し ,  抵抗スイッチング ,  低電圧 ,  正孔移動度 ,  電荷輸送 ,  π共役 ,  *抵抗メモリ ,  *導電性原子間力顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界効果トランジスタ ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  観察 ,  薄膜 ,  不揮発性 ,  メモリ効果