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J-GLOBAL ID：201702253345729335   整理番号：17A0946051

均一で垂直および深いシリコン構造の金属アシスト化学エッチング法の改良

Improved metal assisted chemical etching method for uniform, vertical and deep silicon structure

著者 (9件)： MIAO Bin (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sci., Suzhou, CHN) ,  ZHANG Jian (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sci., Suzhou, CHN) ,  DING Xiangzhen (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sci., Suzhou, CHN) ,  DING Xiangzhen (Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WU Dongmin (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sci., Suzhou, CHN) ,  WU Yihui (Changchun Inst. of Optics Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  LU Wenhui (Huzhou Univ., Huzhou, CHN) ,  LI Jiadong (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sci., Suzhou, CHN) ,  LI Jiadong (Changchun Inst. of Optics Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 5  ページ： 055019,1-5  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMS技術はセンサデバイス,RF技術,生体医学や光素子などで広く使われている。ディープ反応性イオンエッチング(DRIE)は,Si微細加工プロセスにおいて高アスペクト比構造を実現するための主要な技術である。本稿では,これに代わる新しい金属アシスト化学エッチング(MaCE)法について報告した。N型Si(100)ウエハを使った実験で,H₂O₂(30wt.%),HF(40%wt.%)と従来の水の代わりにアルコールを混合したエッチング液を使用した。最適なエッチング液仕様によりハニカム構造の幅50μm,深さ280μmの孔アレイを製作することができた。パターン形成した表面のポーラス欠陥や側壁の横方向エッチングは効果的に抑制できた。

シソーラス用語： *ウェットエッチング ,  *MEMS ,  微細加工 ,  結晶方位 ,  ケイ素 ,  *アスペクト比 ,  アルコール ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： シリコン(100) ,  シリコンウエハ ,  化学エッチング ,  高アスペクト比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  アシスト ,  化学エッチング