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J-GLOBAL ID：201702253444009121   整理番号：17A1036943

残留応力により支援された低温直接Cu結合【Powered by NICT】

Low temperature direct Cu bonding assisted by residual stress

著者 (8件)： Liang Sin-Yong (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan) ,  Chiang Po-Hao (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan) ,  Xie Zong-Yu (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan) ,  Song Jenn-Ming (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan) ,  Huang Shang-Kun (Advanced Semiconductor Engineering Group, Kaohsiung 811 Taiwan) ,  Chiu Ying-Ta (Advanced Semiconductor Engineering Group, Kaohsiung 811 Taiwan) ,  Tarng David (Advanced Semiconductor Engineering Group, Kaohsiung 811 Taiwan) ,  Hung Chih-Pin (Advanced Semiconductor Engineering Group, Kaohsiung 811 Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： LTB-3D  ページ： 71  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu-Cu直接ボンディングは3D(三次元)チップ積層のための鍵となる技術の一つである。本研究は,接合面に及ぼす残留応力の制御によるCu-Cu直接ボンディングを強化する新しい概念を提案した。近赤外放射(NIR)により誘導された圧縮残留応力は,銅原子の拡散を促進し,このようにして直接ボンディング。N2中で10MPa下で5分間250°Cでの熱圧縮結合を受けて,10秒のためのNIRに曝露した二Cu膜の間の28.9MPaの継手強度を得ることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 近赤外線 ,  *残留応力 ,  *低温 ,  *銅 ,  三次元
準シソーラス用語： 継手強度 ,  圧縮残留応力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱的操作によらぬ硬化  (WC04080O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 残留応力 ,  支援 ,  低温 ,  Cu