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J-GLOBAL ID：201702253465232242   整理番号：17A1637413

ICの故障解析はFinFETを含む【Powered by NICT】

Failure analysis of IC contains FinFET

著者 (6件)： Chu C. H. (Materials Analysis Technology Inc., 1B9, No. 1, Li-hsin Rd. I, Hsinchu, Taiwan) ,  Kuo P. S (Materials Analysis Technology Inc., 1B9, No. 1, Li-hsin Rd. I, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang T. F. (Materials Analysis Technology Inc., 1B9, No. 1, Li-hsin Rd. I, Hsinchu, Taiwan) ,  Yang J. X. (Materials Analysis Technology Inc., 1B9, No. 1, Li-hsin Rd. I, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Jum (Materials Analysis Technology Inc., 1B9, No. 1, Li-hsin Rd. I, Hsinchu, Taiwan) ,  Yang Ray (Materials Analysis Technology Inc., 1B9, No. 1, Li-hsin Rd. I, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FInFETはより高い速度と電力効率を持つ製品を供給するために導入した。その3D構造のために,FinFETは,故障解析プロセス中の複雑性をもたらした。従来,故障解析(FA)は電気的故障解析(EFA)から始まる故障を分離し,物理的故障解析(PFA)による以下の根本原因を見出すことである。しかし,先端技術のための,回路素子のサイズはスケールである。EFA結果は破壊の位置を提供する。トランジスタまでさらに故障分離が必要であり,これはナノプロービング,導電性原子間力顕微鏡(C AFM)またはパッシブ電圧コントラスト(PVC)によって達成される。FinFET場合PFAの最終段階では,透過型電子顕微鏡(PV TEM)のための平面試料調製は,最初に可能な破壊位置を明らかにするために実施と同じ位置で透過型電子顕微鏡(XTM)の断面試料調製に続く実際の根本原因を明らかにすることである。本発表では,FinFETを含むICの故障解析事例を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *故障解析 ,  電力効率 ,  トランジスタ ,  回路部品 ,  三次元 ,  透過型電子顕微鏡 ,  試料調製 ,  コントラスト ,  電圧
準シソーラス用語： パッシブ ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  故障隔離 ,  複雑性 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： IC ,  故障解析 ,  FinFET