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J-GLOBAL ID：201702253509332023   整理番号：17A0965690

28LPのための改善STI CMPディッシングと均一性の研究と解【Powered by NICT】

Research and solution of STI CMP dishing and uniformity improve for 28LP

著者 (6件)： Lei Zhang (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, NO.568, Gaosi Rd. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, 201203, China) ,  Junhua Yan (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, NO.568, Gaosi Rd. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, 201203, China) ,  Kun Chen (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, NO.568, Gaosi Rd. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, 201203, China) ,  Wenbin Fan (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, NO.568, Gaosi Rd. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, 201203, China) ,  Yefang Zhu (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, NO.568, Gaosi Rd. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, 201203, China) ,  Jingxun Fang (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, NO.568, Gaosi Rd. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, 201203, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMPは様々な応用におけるウエハ表面の精密加工の要求を満たすことのできる技術になってきた。本論文では,28nmのSTI-CMPプロセスのディッシングと均一性性能は,機械,スラリー,研磨パッド,研磨時間,ゾーン圧力と保持リング力の影響を解析したを用いて研究した,これはシリコンウエハの表面の幾何学的パラメータに影響する。実験の結果から,STIディッシング,均一性とウエハ負荷シリコンウエハのが改善され,低SiN除去速度を持つ新しいスラリーを用いて,ゾーン圧力を制御し,保持リング力を調節することであることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 研磨 ,  精密加工 ,  *スラリー
準シソーラス用語： 除去速度 ,  シリコンウエハ ,  研磨パッド ,  *ディッシング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： STI ,  CMP ,  ディッシング ,  均一性 ,  研究 ,  解