文献

J-GLOBAL ID：201702253608957519   整理番号：17A0965782

HK膜中の不純物の研究【Powered by NICT】

The study of the impurity in HK film

著者 (3件)： Yingming Liu (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, 568 Gaosi Rd., Pudong district, China) ,  Qiuming Huang (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, 568 Gaosi Rd., Pudong district, China) ,  Haifeng Zhou (Shanghai Huali Microelectronics Corporation, 568 Gaosi Rd., Pudong district, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縮小CMOSサイズとして,HKMGは,45nmノードでのポリSiON方式を早目にCMOS製造プロセスに導入した。多くHK材料では,HfO2は,その良好な熱安定性,シリコンと非反応性,水吸収のための最終的に選択した。A LDとMOCVDの両方はH fO2の堆積に用いることができた。膜品質から,A LDはその膜品質のためのより良い選択であり,自己停止過程としてA LDは,流れ,温度または圧力のようなプロセスパラメータに非常に敏感ではなかった。相対安定,HK膜特性が考察されているけれども,特に膜不純物はデバイス性能への支配的影響の注意が必要である。SIMS分析から,水パルス時間を添加または水槽の温度を上げると,HK膜中のClは減少し,Hは増加するであろう。がHfとOの含有量を安定に保持する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 塩素 ,  ケイ素 ,  プロセスパラメータ ,  生産工程 ,  ハフニウム ,  反応性 ,  *不純物 ,  パルス ,  酸化ハフニウム ,  MOCVD ,  CMOS ,  水槽 ,  熱安定性 ,  品質
準シソーラス用語： 酸化チッ化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 不純物 ,  研究