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J-GLOBAL ID：201702253621158830   整理番号：17A0118172

SiGe MEMS技術のためのモノリシック集積化への挑戦【Powered by NICT】

Challenges of monolithic integration for SiGe MEMS technology

著者 (5件)： Chaudhuri A. Ray (imec, BELGIUM, Universite ́ Catholique de Louvain, BELGIUM, Leuven, Belgium) ,  Severi S. (imec, BELGIUM, Leuven, Belgium) ,  Helin P. (imec, BELGIUM, Leuven, Belgium) ,  Francis L. A. (Universite ́ Catholique de Louvain, BELGIUM, Belgium) ,  Tilmans H. A. C. (imec, BELGIUM, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TSMC社の0.18μm CMOS技術と組み合わせたSiGe MEMS技術を用いたCMOS集積モノリシックMEMS加速度計の主要な課題を述べた。開発したSiGe MEMS技術は,標準的鋳造プロセス以上の統合する能力を示した。これは±2gの範囲で民生用最小形状因子表面微細加工加速度計を構築することを可能にする。MEMS構造とCMOSを含む加速度計の全面積は1.35mm×1.35mmである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 加速度計 ,  形状因子 ,  微細加工 ,  *MEMS ,  CMOS
準シソーラス用語： *モノリシック集積化 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  MEMS ,  モノリシック集積化