文献

J-GLOBAL ID：201702253719713518   整理番号：17A1036233

16nmバルクFinFET技術におけるフリップ-フロップ設計のための熱中性子誘起ソフトエラー率【Powered by NICT】

Thermal neutron-induced soft-error rates for flip-flop designs in 16-nm bulk FinFET technology

著者 (9件)： Zhang H. (Vanderbilt University, Nashville, TN 37212) ,  Jiang H. (Vanderbilt University, Nashville, TN 37212) ,  Brockman J. D. (University of Missouri Research Reactor Center, MO 65211) ,  Assis T. R. (Robust Chip, Inc., Pleasanton, CA 94588) ,  Fan X. (Vanderbilt University, Nashville, TN 37212) ,  Bhuva B. L. (Vanderbilt University, Nashville, TN 37212) ,  Narasimham B. (Broadcom Corporation, Irvine, CA 92617) ,  Wen S.-J. (Cisco Systems, Inc., San Jose, CA 95134) ,  Wong R. (Cisco Systems, Inc., San Jose, CA 95134)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 3D-3.1-3D-3.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 16nmバルクFinFET技術におけるフリップフロップ(FF)設計のソフトエラー率(SER)は熱中性子,高エネルギー中性子及びアルファ粒子照射によって特性化した。結果は熱中性子誘起SERの寄与は,異なるFF設計のためのアルファ粒子誘起SERより高いかもしくは低くなることができ,いくつかのFF設計のための高エネルギー中性子誘起SERと同等であることを示した。熱中性子SER全SERへの寄与は,以前に報告されたものより有意に高かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 双安定回路 ,  高速中性子 ,  *熱中性子 ,  α粒子 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *ソフトエラー率 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  FinFET ,  設計 ,  熱中性子 ,  誘起 ,  ソフトエラー率