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J-GLOBAL ID：201702253779533494   整理番号：17A0666228

ピエゾ抵抗係数に及ぼすn型歪(111)けい素の影響の研究【Powered by NICT】

Studying the Influence of n-Type Strained (111) Silicon on the Piezoresistive Coefficients

著者 (3件)： Balbola Amr A. (Mechanical Engineering Department, University of Alberta, Edmonton, AB, Canada) ,  Kayed Mohammed O. (Mechanical Engineering Department, University of Alberta, Edmonton, AB, Canada) ,  Moussa Walied A. (Mechanical Engineering Department, University of Alberta, Edmonton, AB, Canada)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 2  ページ： 302-310  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,圧電抵抗係数上の(111)シリコン基板に予歪状態を誘導することの影響を調べた。この目的のために,十要素センシングロゼットは,歪および無歪シリコン基板上に作製し,一軸,熱および静水圧荷重を用いて較正した。歪シリコン技術はプラズマ増強化学蒸着窒化けい素により作製した高圧縮膜を用いた微細加工プロセス中に統合した。検出素子を作製し,この層は基板の前面での引張歪を誘起する。検量結果は,引張歪シリコンは,無歪シリコン上におけるよりも小さい縦方向と横方向の圧電抵抗係数を持つことを示した。一方,せん断ピエゾ抵抗と圧力係数は23%と30%増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 圧電気 ,  検出 ,  予歪 ,  *抗力係数 ,  プラズマCVD ,  一軸 ,  窒化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  引張 ,  静水圧 ,  微細加工
準シソーラス用語： 引張歪 ,  歪シリコン ,  シリコンウエハ ,  *圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ピエゾ抵抗 ,  係数 ,  歪 ,  けい素 ,  研究