Li Liuan について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Wang Wenjing について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
He Liang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Zhang Jialin について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Wu Zhisheng について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Zhang Baijun について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Liu Yang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Liu Yang について
Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China について
Materials Science in Semiconductor Processing について
窒化ガリウム について
電気的性質 について
オフセット について
キャラクタリゼーション について
バンドギャップ について
二次元電子ガス について
ニッケル について
結晶構造 について
伝導バンド について
閾値電圧シフト について
AlGaN/GaN について
リセス構造 について
ドレイン電流 について
ゲート漏れ電流 について
閾値電圧 について
p-NiOゲート について
ノーマリオフGaNデバイス について
埋込みゲート について
熱酸化 について
固体デバイス材料 について
酸化物薄膜 について
AlGaN について
FET について
応用 について
特性化 について