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J-GLOBAL ID：201702253781702958   整理番号：17A1062727

ノーマリオフAlGaN/GaNH FET応用に適したp型NiO膜の合成と特性化【Powered by NICT】

Synthesis and characterization of p-type NiO films suitable for normally-off AlGaN/GaN HFETs application

著者 (8件)： Li Liuan (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Wang Wenjing (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  He Liang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Zhang Jialin (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Wu Zhisheng (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Zhang Baijun (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Liu Yang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China) ,  Liu Yang (Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 67  ページ： 141-146  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型NiO膜は,ノーマリオフAlGaN/GaNH FET応用のためのO_2雰囲気中で種々の酸化温度で作製した。NiO膜の結晶構造,電気的性質およびバンドギャップは温度に依存した。従来のNiゲートFETと比較して,NiOゲートFETは正にシフトしたしきい値電圧とより小さいゲート漏れ電流を示し,一方,ドレイン電流密度はわずかに劣化を示した。リセス構造とNiOゲートを組み合わせて,ノーマリオフGaN FETは約0.5Vのしきい値電圧を達成した。NiO/AlGaN/GaN構造のバンド図は,NiOとGaNの間のp型伝導率と大きい伝導帯オフセットはリフトアップ可能性,これは2DEG枯渇と正の閾値電圧シフトを引き起こすことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  電気的性質 ,  オフセット ,  *キャラクタリゼーション ,  バンドギャップ ,  二次元電子ガス ,  *ニッケル ,  結晶構造 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  *AlGaN/GaN ,  リセス構造 ,  ドレイン電流 ,  ゲート漏れ電流 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： p-NiOゲート ,  ノーマリオフGaNデバイス ,  埋込みゲート ,  熱酸化

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  FET ,  応用 ,  特性化