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J-GLOBAL ID：201702253918326953   整理番号：17A1723398

基本的にシリコンマイクロリングにおけるキャンセル後方散乱【Powered by NICT】

Fundamentally cancel backscattering in silicon microrings

著者 (2件)： Li Ang (Photonics Research Group, Ghent University-IMEC, Department of Information Technology, 9052 Ghent, Belgium) ,  Bogaerts Wim (Photonics Research Group, Ghent University-IMEC, Department of Information Technology, 9052 Ghent, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンマイクロリングは,多くの光学的応用におけるその価値を証明した。通常,それらのための望ましい高Q因子,非常に狭い線幅を示した。しかし,側壁粗さが,後方散乱を誘導するので,共鳴分裂を促進する頻繁にするが,これはリング導波路[1]における時計回り(CW)及び反時計回り(CCW)伝搬モードを結合している。結果としてそれらの縮退は破壊される。共鳴分裂は,ほとんどすべてのマイクロリングに基づくアプリケーションの問題がある。分割は共鳴線幅広がりにより避けることができる場合でも,アドポートに後方反射の港湾と望ましくない透過には不可避である。これら二つの効果は大規模回路における不要intereferencesの原因となり,レーザ不安定性を引き起こす可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザ ,  拡幅 ,  共鳴 ,  Q値 ,  導波路 ,  不安定性 ,  港湾 ,  *後方散乱 ,  応用プログラム
準シソーラス用語： 線幅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (2件)： キャンセル ,  後方散乱