Qian H. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, UK について
Lee K.B. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, UK について
Vajargah S. Hosseini について
Department of Material Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FS, UK について
Novikov S.V. について
School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK について
Guiney I. について
Department of Material Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FS, UK について
Zaidi Z.H. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, UK について
Jiang S. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, UK について
Wallis D.J. について
Department of Material Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FS, UK について
Foxon C.T. について
School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK について
Humphreys C.J. について
Department of Material Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FS, UK について
Houston P.A. について
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, UK について
Journal of Crystal Growth について
エッチング について
界面 について
水酸化カリウム について
MOCVD について
MBE成長 について
窒化ガリウム について
電場効果 について
FET【トランジスタ】 について
高移動度 について
AlGaN/GaN について
再成長 について
V溝 について
半極性 について
ヘテロ構造 について
被覆成長 について
A1湿式エッチング について
A1半極性(11 22)GaN について
A3分子ビームエピタクシー について
A3有機金属化学蒸着 について
B1AlGaN/GaN について
B3垂直ヘテロ構造電界効果Transisto(VHFET) について
半導体薄膜 について
結晶学 について
KOH について
エッチング について
被覆成長 について
GaN について
ヘテロ構造 について
電界効果トランジスタ について