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J-GLOBAL ID：201702254014989466   整理番号：17A0221989

ヒドラジンドーピングにより高性能化されたMoS₂ベースの電界効果トランジスタ

High performance MoS₂-based field-effect transistor enabled by hydrazine doping

著者 (11件)： LIM Dongsuk (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KANNAN E S (BITS-PILANI, Goa, IND) ,  LEE Inyeal (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  RATHI Servin (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LI Lijun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Yoontae (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KHAN Muhammad Atif (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KANG Moonshik (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KANG Moonshik (Samsung Electronics Co., Hwasung, KOR) ,  PARK Jinwoo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Gil-Ho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 22  ページ： 225201,1-6  発行年： 2016年06月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その優れた電気的,化学的,熱的および機械的特性のために,モリブデンダイスルファイド(MoS₂)などの遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)ベースの二次元(2D)材料に最近注目が集まっている。本研究では,ヒドラジンを用いてMoS₂フレークの輸送特性を調整するための,非常に安定したドーピング技術について報告する。そして,ドーピングされたMoS₂電界効果トランジスタ(FET)を周囲環境(温度293K)に数週間さらし,デバイス内のチャネル電流を調べることによって,ドーピング技術の安定性を示した。結論として,本発明者らは,n型ドーパントとしてのヒドラジンの有効性および安定性,ならびにMoS₂ベースのFETのトランジスタ特性へのその影響を調べた。ヒドラジンは,周囲条件でMoS₂を用いて非常に速く(30秒)結合した。移動度はドーピングによって大幅に増加し,キャリアの密度はほぼ10⁶増加した。ヒドラジンドーピングは,MoS₂FETのオン電流を増加させ,逆サブスレッショルドスロープを低減することによって,スイッチング速度を向上させた。オン/オフ比は,ドーピングによって2桁増加し,ゲート-チャネル結合も強化した。したがって,ヒドラジンがドープされたMoS₂は,TMDCベースのトランジスタをより小さな寸法にスケーリングすることができるので,ナノスケールのデジタルエレクトロニクスにとって理想的な候補である。

シソーラス用語： *ヒドラジン ,  *ドーピング ,  *硫化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *特性 ,  キャリア密度 ,  速度 ,  規模 ,  ナノスケール ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  電界効果トランジスタ ,  デバイス特性 ,  スイッチング速度

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能化 ,  MoS2 ,  電界効果トランジスタ