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J-GLOBAL ID：201702254043301652   整理番号：17A1077167

準二次元h-BN/β-Ga₂O₃ヘテロ構造金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ

Quasi-Two-Dimensional h-BN/β-Ga₂O₃ Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor

著者 (4件)： KIM Janghyuk (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  MASTRO Michael A. (US Naval Res. Lab., Columbia, USA) ,  TADJER Marko J. (US Naval Res. Lab., Columbia, USA) ,  KIM Jihyun (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 25  ページ： 21322-21327  発行年： 2017年06月28日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,表面ゲート誘電体としてh-BN,底面ゲート誘電体としてSiO₂を用い,SiO₂/Si基板上でh-BN/β-Ga₂O₃ヘテロ構造金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を合成した。h-BNとβ-Ga₂O₃フレークベース表面ゲートMISFETヘテロ構造は,剥離β-Ga₂O₃と剥離h-BN間の優れた界面に起因し,より高い閾値電圧を持つ優れたトランジスタ特性を有し,SiO₂誘電体による底面ゲートFETのものと比べ低ゲート漏れ電流と大きなオン/オフ比約10⁷を示した。二重側面ゲート応用は合成MISFETのサブ閾値スイングや閾値電圧の調節を可能にした。この2D h-BNと準2D β-Ga₂O₃の相乗的統合で,将来的高電力デバイスに向けナノ規模ビルディングブロックとしてβ-Ga₂O₃を採用している。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  MIS構造 ,  素子構造 ,  *窒化ホウ素 ,  *六方晶系 ,  *酸化ガリウム ,  *β相 ,  ゲート絶縁膜 ,  二酸化ケイ素 ,  剥離 ,  フレーク ,  性能指数
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  *金属-絶縁体-半導体構造 ,  ヘテロ構造 ,  ゲート誘電体 ,  シリコン基板 ,  界面特性 ,  閾値電圧 ,  ゲート漏れ電流 ,  オンオフ比 ,  サブ閾値スイング ,  相乗効果 ,  *二次元構造

分類 (6件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： h-BN ,  β-Ga2O3 ,  ヘテロ構造 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ