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J-GLOBAL ID：201702254051024642   整理番号：17A0965005

高信頼性ゲート絶縁体と体ダイオードを用いた3.3kV4H-SiC DMOSFET【Powered by NICT】

3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with highly reliable gate insulator and body diode

著者 (11件)： Shima A. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Shimizu H. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Mori Y. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Sagawa M. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Konishi K. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Fujita R. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Ishigaki T. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Tega N. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Kobayashi K. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Sato S. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan) ,  Shimamoto Y. (Center for Technology Innovation - Electronics, Research & Development Group, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECSCRM  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3.3kV4H-SiC DMOSFETにおけるこれら信頼性問題を克服するための改善方法を検討した。(i)狭い幅と(ii)p型井戸領域のそれより深い深さとJFETドーピングはゲート絶縁体における電場とオン電圧を同時に減少することに成功した。Vと150°CのVgで26mΩcm~2の低Rds Aを達成した。0.1適合の信頼性の高いチップは3MV/cmで20年以上固有寿命のMTTFとV/ 8Vの正および負のゲートバイアスの両方で達成された。正と負のバイアスの両方でB TI特性も20年以上の信頼性を証明した。体ダイオードである外部ダイオード無しパワーモジュールに適した順方向電流駆動の下での安定した挙動を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  電圧 ,  *ゲート絶縁膜 ,  バイアス ,  接合形FET ,  *信頼性 ,  *ダイオード ,  電場 ,  MTTF ,  プラズマ電流駆動
準シソーラス用語： 電流駆動 ,  パワーモジュール ,  ゲートバイアス ,  *高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高信頼性 ,  ゲート絶縁体 ,  ダイオード ,  DMOSFET