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J-GLOBAL ID:201702254067537096   整理番号:17A1554795

再構成可能FPGAにおける適応シングルイベント効果緩和のためのシングルイベントアップセットセンサのBRAM実現【Powered by NICT】

BRAM implementation of a single-event upset sensor for adaptive single-event effect mitigation in reconfigurable FPGAs
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: AHS  ページ: 1-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,FPGAにおける適応シングルイベント効果緩和のためのブロックRAM(BRAM)ベースの埋め込まれた放射線センサの性能を調べた。これを達成するために,著者らは洗浄と誤差補正を用いたXilinx BRAMマクロを拡張し,遊離および使用済み両方BRAMs(ユーザにより利用される)にカスタムBRAMラッパーを設計した。事例研究は,センシングのための使用されているすべての298BRAMs(Virtex5qv)を持つ系における,0.05a~ 1のシステム故障率が予測され,BRAMセンサ自体のできることを示した。本シングルイベントアップセットセンサのリソースオーバーヘッドは,FPGA資源(ルックアップテーブルとフリップフロップの最大)の4.9%であった。シングルイベントアップセットセンサは実時間で確実に放射線レベルを測定するのに十分堅牢であることを結論した。著者らの研究は,Fraunhoferオンボードプロセッサの一部,静止地球軌道通信衛星の一部である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
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