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J-GLOBAL ID：201702254078930649   整理番号：17A0312183

酸化けい素不動態化層でキャップされた非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシドチャネルのデバイス特性【Powered by NICT】

Device characteristics of amorphous indium-gallium-zinc-oxide channel capped with silicon oxide passivation layers

著者 (7件)： Jang Geon (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Lee Su Jeong (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Kim Yun Cheol (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Lee Sang Hoon (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Biswas Pranab (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Lee Woong (School of Materials Science and Engineering, Changwon National University, 20 Changwondaehak-ro, Changwon, Gyeongnam 51140, Republic of Korea) ,  Myoung Jae-Min (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 03722, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 49  ページ： 34-39  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜トランジスタ(TFT)のバックゲートの非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド(a IGZO)チャンネルは,無線周波数マグネトロンスパッタリングによりそれらの上部表面上の酸化けい素層の蒸着によりどのように影響されるか調べた。予備的研究は,酸化ケイ素層の蒸着は,元のシリコンウエハ本質的粗化の表面への損傷を引き起こすことを示した。しかし,スパッタリング過程に関与する高エネルギー粒子による衝撃はa-IGZOチャネルTFTは,キャリア密度,電界効果移動度,オンオフ電流比の改良された性能を示したことにおいてプラッド有益な役割を有していると思われる。このような改善は,酸素空格子点サイトの濃度を低下させるおよび/または酸素空孔サイト,キャリア濃度を増加させ,トラップサイトの密度の減少を平均化するa-IGZOチャンネルの修飾に起因し,しきい値電圧の負のシフトを明らかにした。一方,不動態化プロセスによるこのようなチャネル修飾を,サブしきい値スイングが少し増加した。プロセスはかなり不動態化表面にいくつかの損傷にもかかわらず,素子性能を改善したためa-IGZOチャネルTFTは,エッチストップ層を持たない単純なスパッタリングプロセスにより不動態化できることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スパッタリング ,  キャリア密度 ,  *酸化ケイ素 ,  薄膜トランジスタ ,  マグネトロンスパッタリング ,  *不動態化
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  酸素空格子点 ,  電界効果移動度 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  シリコンウエハ ,  無線周波数 ,  バックゲート ,  *デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： a IGZO TFT ,  SiO_2不動態化層 ,  プラズマ損傷 ,  エッチは層停止 ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 酸化けい素 ,  不動態化 ,  キャップ ,  非晶質 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  オキシド ,  チャネル ,  デバイス特性