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J-GLOBAL ID：201702254184491977   整理番号：17A1256457

しきい値電圧変動の免疫のための直接測定のためのV_thシフト可能なSRAMセルTEGs【Powered by NICT】

V_th-shiftable SRAM cell TEGs for direct measurement for the immunity of the threshold voltage variability

著者 (6件)： Yamaguchi Shogo (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Imi Hitoshi (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Tokumaru Shogo (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Kondo Takahiro (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Yamamoto Hiromasa (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan) ,  Nakamura Kazuyuki (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6T-SRAMとRL SRAMのためのVTSTsを開発し,測定したFCMとCΔV_thsを用いたV_th変動によるSRAMの動作の影響を調べるためにそれらを評価した。その結果,6T-SRAMよりもRL SRAMのV_th変動の優れた免疫を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *SRAM ,  閾値電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： しきい値電圧 ,  免疫 ,  直接測定 ,  シフト ,  SRAM ,  セル