文献

J-GLOBAL ID：201702254228921810   整理番号：17A0953411

金属-半導体-金属紫外線光検出器のためのInZnO半導体薄膜へのゾル-ゲル誘導Mgの取込み

Incorporation of sol-gel-derived Mg into InZnO semiconductor thin films for metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors

著者 (2件)： TSAY Chien-Yie (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  WU Po-Hsien (Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3S  ページ： 03BA02.1-03BA02.4  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgをInZnO(MIZO)半導体薄膜に取り込みそして,金属-半導体-金属(MSM)UV光検出器をゾル-ゲル法によって製作した。電気およびUV光応答特性へのMgをIZO膜に取り込む効果を研究し,そして,光導電紫外線検出器を,IZOに基づく膜を使って実現した。Mg含有量([Mg]/[In + Zn])は,結果として生じる溶液で,0から20%まで変化した。各々の被覆したままのゾル・ゲル膜を300°Cで10分予熱し,密な酸化物膜を形成するため2時間 450°Cでアニールした。結果は,全ての準備したままのIZOに基づく膜は非晶質相構造であることを示し,平らな表面を示し,そして,高い可視透過率(-90.0%)を示した。紫外線照明がすべてのIZOに基づく膜で光電流を増やすことがわかり,そして,MIZO光検出器は,純粋なIZO 光検出器より良い光電流生成を示した。20%のMgドープしたIZO光検出器は,最高I明対I暗比率(8.57)と最も高い感度(756.9)パーセンテージを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 金属 ,  半導体 ,  *紫外検出器 ,  インジウム化合物 ,  酸化物 ,  *マグネシウム ,  ゾル-ゲル法

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

引用文献 (32件)：

• T. Kamiya and H. Hosono, NPG Asia Mater. 2, 15 (2010).
• E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012).
• S. J. Kim, S. Yoon, and H. J. Kim, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 02BA02 (2014).
• J. Y. Kwon and J. K. Jeong, Semicond. Sci. Technol. 30, 024002 (2015).
• J. H. Park, W. J. Choi, S. S. Chae, J. Y. Oh, S. J. Lee, K. M. Song, and H. K. Baik, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 080202 (2011).

タイトルに関連する用語 (7件)： 紫外線光 ,  検出器 ,  半導体薄膜 ,  ゾル-ゲル ,  誘導 ,  Mg ,  取込み