抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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MgをInZnO(MIZO)半導体薄膜に取り込みそして,金属-半導体-金属(MSM)UV光検出器をゾル-ゲル法によって製作した。電気およびUV光応答特性へのMgをIZO膜に取り込む効果を研究し,そして,光導電紫外線検出器を,IZOに基づく膜を使って実現した。Mg含有量([Mg]/[In + Zn])は,結果として生じる溶液で,0から20%まで変化した。各々の被覆したままのゾル・ゲル膜を300°Cで10分予熱し,密な酸化物膜を形成するため2時間 450°Cでアニールした。結果は,全ての準備したままのIZOに基づく膜は非晶質相構造であることを示し,平らな表面を示し,そして,高い可視透過率(-90.0%)を示した。紫外線照明がすべてのIZOに基づく膜で光電流を増やすことがわかり,そして,MIZO光検出器は,純粋なIZO 光検出器より良い光電流生成を示した。20%のMgドープしたIZO光検出器は,最高I明対I暗比率(8.57)と最も高い感度(756.9)パーセンテージを示した。(翻訳著者抄録)