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J-GLOBAL ID：201702254290140350   整理番号：17A1036238

大面積CVDグラフェンRFトランジスタのESD挙動:物理的洞察および技術的意味合い【Powered by NICT】

ESD behavior of large area CVD graphene RF transistors: Physical insights and technology implications

著者 (4件)： Kranthi N. K. (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India) ,  Mishra Abhishek (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India) ,  Meersha Adil (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India) ,  Shrivastava Mayank (Advance Nanoelectronic Device and Circuit Research Group, Department of Electronic Systems Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore, Karnataka, 560012, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 3F-1.1-3F-1.6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,初めて,様々な設計と技術オプションの意味を研究しながら,著者らはESD物理探査のための成熟したグラフェン技術プラットフォームを用いた。破壊メカニズムに及ぼす拡散対弾道キャリア輸送とトップゲートとバックゲートの影響を調べた。グラフェントランジスタにおけるユニークな接触で制限される破壊を報告した。誘電体キャップしたトランジスタの段階的破壊によるグラフェンFETとユニークな段階で電流飽和に物理的洞察を初めて提示した。さらに,ESDの時間スケール下での素子の劣化と電流飽和に対するその意味を明らかにした。最後に,ESD性能に及ぼす種々のトップゲート設計の影響を報告した。新しい物理的洞察と成熟したグラフェンFET技術は記録的に高い故障電流を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  *グラフェン ,  *トランジスタ ,  電流 ,  拡散対 ,  故障電流
準シソーラス用語： グラフェンFET ,  グラフェントランジスタ ,  バックゲート ,  トップゲート ,  キャリア輸送 ,  破壊機構 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 大面積 ,  CVD ,  グラフェン ,  RF ,  トランジスタ ,  ESD ,  挙動 ,  物理 ,  洞察