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J-GLOBAL ID：201702254308876183   整理番号：17A0617199

原子層堆積手法で得たAu/ZnO/n-Siデバイスの温度依存性C-V特性

Temperature-dependent C-V characteristics of Au/ZnO/n-Si device obtained by atomic layer deposition technique

著者 (5件)： KOCYIGIT A. (Igdir Univ., Igdir, TUR) ,  ORAK I. (Bingoel Univ., Bingoel, TUR) ,  AYDOGAN S. (Ataturk Univ., Erzurum, TUR) ,  CALDIRAN Z. (Ataturk Univ., Erzurum, TUR) ,  TURUT A. (Istanbul Medeniyet Univ., Istanbul, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 8  ページ： 5880-5886  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)手法でn型SiウェーハーにZnO薄膜層を堆積させて均質な界面層を持つAu/ZnO/n-Siデバイスとし,Schottkyデバイスとして完成させた。この薄膜層の特性を,X線回折(XRD)と原子間力顕微鏡(AFM)で評価した。アドミッタンス分光法を使って,種々の温度とバイアス電圧におけるキャパシタンス-電圧(C-V)特性とコンダクタンス-電圧(G-V)特性を調べた。C-V曲線から,キャパシタンスが温度上昇とともに増加し順方向バイアスへ向けてピークを示すことと,G-V曲線から,コンダクタンスも温度上昇とともに増加し順方向バイアスへ向けて増加することが分かった。これらのメカニズムを考察した。直流抵抗,インピーダンス値,及び障壁高さの温度依存性についても論じた。

シソーラス用語： *温度依存性 ,  *容量電圧特性 ,  *金 ,  *酸化亜鉛 ,  *N型半導体 ,  *ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *化学蒸着 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  空乏層 ,  電気抵抗 ,  半導体金属接合 ,  Schottky障壁 ,  ダイオード ,  表面準位 ,  整流器 ,  インバータ
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  直列抵抗 ,  Schottky接合 ,  界面状態

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層堆積 ,  手法 ,  Au ,  ZnO ,  温度依存性