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J-GLOBAL ID：201702254470574032   整理番号：17A0362311

光起電力応用のための化学的に堆積させたMoSb_2 xCu_xSe_4/CdS薄膜吸収層の特性に及ぼす銅濃度の影響【Powered by NICT】

Effect of copper concentration on the properties of chemically deposited MoSb_2-xCu_xSe₄/CdS thin film absorbing layer for photovoltaic applications

著者 (3件)： Joy Jeba Vijila J. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli, 627012, Tamilnadu, India) ,  Mohanraj K. (Department of Physics, Manonmaniam Sundaranar University, Tirunelveli, 627012, Tamilnadu, India) ,  Sivakumar G. (CISL, Department of Physics, Annamalai University, Annamalai Nagar, 608002, Tamilnadu, India)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 85  ページ： 188-195  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,室温での化学浴析出法で錯化剤としてエチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)を用いてガラス基板上に種々の銅濃度(x=0.0M,0.1M,0.2M&0.3M)堆積した新規混合金属カルコゲン化物MoSb_2 xCu_xSe_4ナノ結晶薄膜。XRDパターンはより高い角度へのシフトとCu_3SbSe_3に斜方晶Sb_2Se_3の変換による銅含有量の取込みを明らかにした。平均微結晶は堆積した膜に対して134,5134および17nmであることが分かった。FTIRスペクトルはエチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)と金属酸化物振動の官能基の存在を確認した。FESEM分析は,Cu含有量の添加によるモルホロジーの変化を示した。UV-vis分析は,可視領域で高い吸収を示し,バンドギャップ値は4.09 1 0.63eVであることが分かった。H all効果解析は材料のp型特性を確認した。光電流解析は,0.3Mの銅含有量で1.78%の高い光変換効率を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微結晶 ,  性能分析 ,  モルフォロジー ,  斜方晶系 ,  *銅 ,  光電流 ,  *光起電力 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  FTIRスペクトル ,  Cu含有量 ,  ガラス基板 ,  錯化剤 ,  化学浴析出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Chalcogenides ,  化学合成 ,  X線回折 ,  赤外分光 ,  電気的性質

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光起電力 ,  応用 ,  化学 ,  堆積 ,  CdS ,  薄膜 ,  吸収層 ,  銅