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J-GLOBAL ID：201702254526224385   整理番号：17A1422923

p型注入4H-SiCへのTi/Al/Ni Ohm接触における表面と界面の電気的および構造的性質【Powered by NICT】

Electrical and structural properties of surfaces and interfaces in Ti/Al/Ni Ohmic contacts to p-type implanted 4H-SiC

著者 (6件)： Vivona M. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Greco G. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Bongiorno C. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Lo Nigro R. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Scalese S. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Roccaforte F. (Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 420  ページ： 331-335  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,p型注入した炭化けい素(4H SiC)へのTi/Al/Ohm接触の電気的および構造的特性を種々の方法を用いて調べた。アニーリング温度の増加に伴って,接触の電気的特性の改善を強調した,950°Cで得られた,~2比接触抵抗ρ_=2.3×10~ 4Ωcmであるオーミック挙動まで。焼なましで起きた,異なる相の形成,スタックの最上部(主にAl_3Ni_2)とSiCとの界面での両方の結果として金属層のかなりの相互混合,優先的に整列したTiCの形成が観測された。Ohm接触の生成は反応の発生と界面での障害と関連していた,電流輸送は0.56eVの障壁高さを持つ熱電子電界放出機構により支配される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *構造特性 ,  アルミニウム ,  電気的性質 ,  炭化ケイ素 ,  *Ohm接触 ,  焼なまし ,  *界面 ,  電界放出
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  電流輸送 ,  相互混合 ,  比接触抵抗 ,  アニーリング温度 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Ohm接触 ,  P型4H-SiC ,  Ti/Al/Ni

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 注入 ,  4H-SiC ,  Ti ,  Al ,  Ni ,  Ohm接触 ,  界面 ,  構造的性質