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J-GLOBAL ID：201702254674973742   整理番号：17A1046421

マグネトロンスパッタリングで堆積したZnO:Al薄膜のホール移動度に及ぼすキャリア濃度の影響:

The Effects of the Carrier Concentrations on the Hall Mobilities of ZnO:Al Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering

著者 (3件)： WANG Xiao-Jing (Wuhan Textile Univ., Wuhan, CHN) ,  WANG Xiao-Jing (Hubei PV Center of Engineering & Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Yun (Wuhan Textile Univ., Wuhan, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 727  ページ： 938-941  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： しなやかなTPT基板上にRFマグネトロンスパッタリングで堆積したZnO:Al薄膜のホール移動度に及ぼすキャリア濃度の影響を調べた。キャリア濃度が1.46×10¹⁹~8.06×10²⁰cm^-3の11のサンプルについてX線回折,Scherrer formulaおよびHall効果測定システムを用いた。その結果,キャリア濃度が3×10²⁰cm^-3程度まで増加するとホール移動度は急激に低下するが,それ以上では緩慢な減少を示し,実験値のホール移動度は粒径の増加(23.7→65.4μm)につれ計算値の間で増加する傾向にある。

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  *複合膜 ,  *Hall移動度 ,  *キャリア密度 ,  電気的性質 ,  *フレキシブル基板 ,  濃度依存性 ,  粒度依存性 ,  透明導電膜 ,  *薄膜 ,  キャリア散乱
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  *AZO

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  ZnO ,  Al ,  薄膜 ,  ホール移動度 ,  キャリア濃度