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J-GLOBAL ID：201702254713125299   整理番号：17A1731651

信頼性改善のための低温犠牲層に基づくCMUT製作プロセス【Powered by NICT】

A low temperature sacrificial layer based CMUT fabrication process for improved reliability

著者 (2件)： Pirouz Amirabbas (School of Electrical & Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Degertekin F. Levent (School of Electrical & Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IUS  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMUT効率は薄い真空ギャップと誘電体分離層上の高電場に依存する。理想的にこの高電場はCMUTの振動膜上でのみ存在するべきであるが,膜の間の電気的接続は通常薄い誘電体絶縁層[Fig.1]を経過した。分離層上に得られた高磁場は帯電,絶縁破壊を引き起こし,CMUTの信頼性[1+2]を減少させた。CMUT膜間のLOCOS領域のようないくつかの改善法を適用し,間隙高さを膜の間の分離層の厚さから提案されているが,これらの手法は高温度が必要であり,CMOS両立しない[3]。本論文では,信頼できる犠牲層に基づくCMUTのための簡単な低温溶液について述べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  CMOS ,  *低温 ,  *信頼性 ,  誘電体 ,  強磁場 ,  LOCOS ,  *生産工程 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  高電場 ,  *CMUT ,  *犠牲層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  放電一般  (BJ03010I) ,  音響の励起・発生  (BB03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  犠牲層 ,  CMUT ,  製作プロセス