文献
J-GLOBAL ID:201702255141886264   整理番号:17A0475050

三重ゲートフィンFETと横方向ゲートオールアラウンドナノワイヤFETのためのドーピング戦略の進歩とデバイス性能への影響【Powered by NICT】

Advances on doping strategies for triple-gate finFETs and lateral gate-all-around nanowire FETs and their impact on device performance
著者 (5件):
資料名:
巻: 62  ページ: 2-12  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
スケールFinFETデバイス作製のための追求重要なドーピング戦略の幾つかをレビューし,接合工学,寄生と直列抵抗制御とデバイス性能,信頼性と変動性へのそれらの影響に関するこのデバイスアーキテクチャが直面している重要な統合課題のいくつかを扱う。は,イオン注入のような通常のドーピング法を用いての拡張可能性を調べ,デバイスの薄い物体の共形ドーピングを可能にする新しい方法の使用を検討し,ゲートオールアラウンドナノワイヤFET,本質的に三重ゲートフィンFETの究極のスケーリング限界として考えることが,無接合対反転モード型トランジスタを評価した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 

前のページに戻る