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J-GLOBAL ID：201702255174255142   整理番号：17A1570540

gMRAM高密度に埋め込まれた貯蔵とその場計算のための利得細胞磁気抵抗ランダムアクセスメモリ【Powered by NICT】

gMRAM: Gain-cell magnetoresistive random access memory for high density embedded storage and in-situ computing

著者 (2件)： Kazemi Mohammad (Electrical and Computer Engineering Department, University of Rochester, Rochester, New York 14627) ,  Bocko Mark F. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Rochester, Rochester, New York 14627)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MWSCAS  ページ： 405-408  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度埋め込みメモリは性能を向上させ,インターネットのもの(IoT)デバイスへのサーバから広範囲の用途で使用されてきた,マルチコアプロセッサのような高度なシステムの電力消費を低減するためにますます求められている。本論文では,利得セル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(gMRAM)と呼ばれる,メモリセルを紹介した。gMRAMは有意に最新の埋込みメモリと比較してビット当たりのセル面積を減少させ,電力消費の性能と還元の結合増強のための機会を提供する,その場計算のための自然な基底を提供した。gMRAM細胞は同時に二ビット,磁気トンネル接合(MTJ)を用いた不揮発性ビットとMTJのアクセストランジスタを用いた動的ビットを保持していた。二ビット読取と書込に独立して非破壊的にした。gMRAM細胞,アレイアーキテクチャ,読取/書込回路の設計と特性評価に焦点を当てた。14nm標準FinFET CMOS技術を用いた8kb gMRAMアレイからのシミュレーション結果は,動的読取/書込のための750ps/475psアクセス時間を示したが,不揮発性ビットから読むまたはアクセス時間,それぞれ750psおよび3.5nsの同じ細胞に書くことができる。ビット当たりgMRAMセル面積は同じ技術におけるSRAM(3T eDRAM)細胞よりも3倍(2×)小さかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気 ,  キャラクタリゼーション ,  呼出時間 ,  電力消費 ,  *利得 ,  非揮発性 ,  シミュレーション ,  記憶素子
準シソーラス用語： FinFET ,  磁気トンネル接合 ,  マルチコアプロセッサ ,  モノのインターネット ,  埋込みメモリ ,  *ReRAM ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ディジタル計算機方式一般  (JC02010O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 貯蔵 ,  計算 ,  利得 ,  細胞 ,  磁気 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ