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J-GLOBAL ID:201702255213816809   整理番号:17A0365915

犠牲層としての溶液処理した金属酸化物を用いた新しいリフトオフプロセスによるゾル-ゲル誘導PZT薄膜の精密パターンニング【Powered by NICT】

Fine-patterning of sol-gel derived PZT film by a novel lift-off process using solution-processed metal oxide as a sacrificial layer
著者 (6件):
資料名:
巻: 42  号: 16  ページ: 18431-18435  発行年: 2016年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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厚さ8 390nmのゾル-ゲル法によるジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)膜のサブ5μmパターンを犠牲層としての溶液処理した金属酸化物を用いた新しいリフトオフプロセスによりPt(111)/TiO_x/SiO_2/Si(100)基板上に作製することに成功した。プロセスを簡単に三段階に分けられる:In Zn O(IZO)犠牲層スピンコーティングとパターニング,PZT膜形成とそれに続くリフトオフプロセスである。結果はIZO層はPZTポストアニーリング中のその熱安定性,とスピンコートPZT前駆体とPt/TiOx_ 基板間の障壁効果のためにPZT結晶化を防ぐのに有効であることを示唆した。,リフトオフPZTの微細パターンを湿式エッチングで形成されたものより良い特性を示した。特に,リフトオフPZT膜は良好な強誘電性質,より高い破壊電圧,および従来のウェットエッチングによりパターン形成した膜のそれよりも明確な形状を有していた。リフトオフプロセスは,その微細パターン形成のために高度に集積素子のための大きな可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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