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J-GLOBAL ID：201702255217042781   整理番号：17A0465643

低電気抵抗WO₃の実現:スプレー熱分解法を用いたLiナノ構造薄膜

Achieving Low-Electrical-Resistance WO₃:Li Nanostructured Thin Films Using Spray Pyrolysis Technique

著者 (2件)： ASGHARI Zahra (Shahrood Univ. Technol., Shahrood, IRN) ,  ESHGHI Hosein (Shahrood Univ. Technol., Shahrood, IRN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 3  ページ： 1439-1443  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属酸化物の中で,酸化タングステンは成長条件に依存して,間接的なバンドギャップが2.4eV~3.7eVで変化するn型半導体である。育成されたサンプルは,W0₃,W0₂,W0_3-x等の種々の結晶相を含んでいる。本研究では,スプレー熱分解法を用いてガラス基板上に成長させたW₃薄膜の物理的性質に対してLiドーピングが及ぼす影響を調べた。非ドープ,並びに1重量%,5重量%および10重量%のLiドープW0₃のナノ構造薄膜を,スプレー熱分解技術を用いてガラス基板上に堆積させた。ドーピングは結晶化度を向上させ,光透過率だけでなく導電率も増加させることが分かった(W10L試料で約95%および約7.5Ωcmまで)。このような改善は,光学バンドギャップおよびPLスペクトルの変化を含む電気的および光学的特性によっても確認される,材料中の結晶欠陥,主に酸素欠損の減少に起因する可能性がある。

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *熱分解 ,  *ドーピング ,  リチウム添加合金 ,  *ナノ構造 ,  半導体薄膜 ,  結晶度 ,  透過率 ,  *電気伝導率 ,  バンドギャップ ,  スペクトル
準シソーラス用語： 三酸化タングステン ,  スプレー熱分解 ,  PLスペクトル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気抵抗 ,  スプレー ,  Li ,  ナノ構造 ,  薄膜