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J-GLOBAL ID：201702255254242316   整理番号：17A0325107

シリコン中の個々のひ素ドーパントを通過する単一電子トンネリング【Powered by NICT】

Single-electron tunneling through an individual arsenic dopant in silicon

著者 (5件)： Shorokhov V. V. (M.V. Lomonosov Moscow State University, Moscow 119991, Russia) ,  Presnov D. E. ,  Amitonov S. V. ,  Pashkin Yu. A. ,  Krupenin V. A.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 2  ページ： 613-620  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有効島は,単一Asドーパント原子がシリコンナノブリッジの単一電子トンネリング挙動を報告した。デバイスは,市販のシリコン-オン-絶縁体ウエハから作製した~20nmの厚さと幅を持つゲートシリコンナノブリッジ最初As原子をドープし,一意的なCMOS互換技術を用いてパターン化した。輸送測定は,その大きさはゲート電圧と共に減少する特徴的なCoulombダイヤモンドを明らかにした。このような依存性は生成した単一電子トランジスタのアイランドはソース電極とドレイン電極間のシリコン格子に埋め込まれた個々のヒ素ドーパント原子であることを示し,さらに,ドーパントとして原子の高エネルギーレベルが占有になると電子波動関数の局在化領域の増加によって説明することができる。素子の電荷安定性図は,電荷トラップとして作用する隣接ドーパント,ナノブリッジに局在し,に起因する特徴を示した。測定したデバイス輸送から,トンネル障壁特性と得られた特性デバイス容量を評価した。このような「単一原子」素子の製作,制御と理解は,単一原子エレクトロニクスの実現に向けて更なるステップを示す。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  電荷 ,  *ドーパント ,  ドーピング ,  *トンネル効果 ,  電子技術 ,  単一電子トランジスタ ,  パターン形成 ,  *ケイ素 ,  絶縁体 ,  単一原子 ,  電荷捕獲 ,  *単一電子
準シソーラス用語： トンネル障壁 ,  ナノブリッジ ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ひ素 ,  ドーパント ,  電子トンネリング