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J-GLOBAL ID：201702255376093515   整理番号：17A1637392

N基板工程を用いた集積回路における寄生垂直NPN開口によるESD故障の解析【Powered by NICT】

Analysis of ESD failure due to parasitic vertical NPN opening in integrated circuits with N-substrate process

著者 (7件)： Wang Guangyang (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Sun Guipeng (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Qi Shukun (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Meng Zeng (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Chen Yongnan (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Zhang Sen (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Yang Tao (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N基板工程における寄生B JTによる静電放電(ESD)破壊について述べた。P基板プロセス[1 3]におけるESD故障のは増大する関心事の話題となっている。一方,予想外のESD故障を引き起こす可能性のある,N基板プロセスはこれまでほとんど注目されていない。データ解析を通して,N基板工程における予想外のESD故障は,寄生垂直NPNに起因している可能性があり,ESD破壊は寄生垂直NPNのBVceoを増加させることで改善できることが示唆された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *集積回路 ,  *故障 ,  *開口 ,  データ解析
準シソーラス用語： 静電気放電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  計算機システム開発  (JD02010R) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積回路 ,  寄生 ,  垂直 ,  ESD ,  故障 ,  解析