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J-GLOBAL ID：201702255506563242   整理番号：17A0855342

錯形成溶解機構による窒化ガリウム表面の光電気化学的エッチング【Powered by NICT】

Photoelectrochemical etching of gallium nitride surface by complexation dissolution mechanism

著者 (9件)： Zhang Miao-Rong (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China) ,  Zhang Miao-Rong (University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, PR China) ,  Hou Fei (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China) ,  Hou Fei (Changchun University of Science and Technology, 130022 Changchun, PR China) ,  Wang Zu-Gang (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China) ,  Wang Zu-Gang (Changchun University of Science and Technology, 130022 Changchun, PR China) ,  Zhang Shao-Hui (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China) ,  Zhang Shao-Hui (Changchun University of Science and Technology, 130022 Changchun, PR China) ,  Pan Ge-Bo (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, 215123 Suzhou, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 410  ページ： 332-335  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)表面は光電気化学エッチング法による0.3Mエチレンジアミン四酢酸ジナトリウム(EDTA 2Na)でエッチングした。SEM画像はエッチングされたGaN表面は粗くなると不規則を明らかにした。細孔密度は単純な酸処理後1.9×10~9平方センチメートルまでであった。エッチと新たにエッチングされたGaN表面の間のGaの3d,1s及びOの零一sのXPSスペクトルの違いは,GaNやEDTA 2Na間のエッチング界面でのGa-EDTA錯体の形成に帰することができる。提案した錯化溶解機構は広く強い光と電場の前提条件の下では,ほとんどすべて中性エッチング剤に適用可能である。環境,安全性とエネルギーの観点から,EDTA-2Naは通常腐食性エッチング液より利点を持つ。さらに,このようなほぼ中性エッチング剤のさらに深い研究として,GaNエッチング技術を光電マイクロデバイス作製における良好な応用の可能性を持つ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトル ,  *光電気化学 ,  エッチング液 ,  細孔 ,  *錯体生成 ,  界面 ,  *エッチング ,  酸処理 ,  *溶解 ,  錯体 ,  安全性 ,  *ガリウム ,  *窒化ガリウム ,  電場 ,  腐食

著者キーワード (4件)： 窒化ガリウム ,  EDTA2Na ,  光電気化学的エッチング ,  錯体生成溶解機構

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 錯形成 ,  溶解 ,  窒化ガリウム ,  光電気化学 ,  エッチング