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J-GLOBAL ID：201702255586829501   整理番号：17A1641116

GaN垂直トレンチMOSFETの素子性能に及ぼす溝寸法の影響【Powered by NICT】

Impact of Trench Dimensions on the Device Performance of GaN Vertical Trench MOSFETs

著者 (8件)： Gupta Chirag (University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Ji Dong (University of California at Davis, Davis, CA, USA) ,  Chan Silvia H. (University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Agarwal Anchal (University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Leach William (University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Keller Stacia (University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Chowdhury Srabanti (University of California at Davis, Davis, CA, USA) ,  Mishra Umesh K. (University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 11  ページ： 1559-1562  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らはサファイアとバルクGaN基板上に作製したトレンチMOSFETの破壊電圧とオン抵抗に及ぼす溝寸法の影響を検討した。シミュレーション研究とは対照的に,絶縁破壊電圧は,サファイア基板上に作製したデバイスにおける溝寸法の増加とともに減少した。しかし,溝寸法を有するこのような破壊電圧依存性を,同一地域のバルクGaN基板上に作製したデバイスでは観察されなかった。サファイアデバイス上のGaNに観察された傾向は,デバイス面積当たりの転位の同等に減少した数と関連していた。これらの結果は,転位が電力用MOSFETの破壊電圧にどのように影響するかに洞察を与えた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  シミュレーション ,  電圧依存性 ,  電力 ,  サファイア ,  *MOSFET ,  オン抵抗
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  絶縁破壊電圧 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  垂直 ,  トレンチ ,  MOSFET