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J-GLOBAL ID：201702255763600797   整理番号：17A1637485

酸化ハフニウムに基づくRRAMのスイッチング挙動に及ぼすコンプライアンス電流効果【Powered by NICT】

Compliance current effect on switching behavior of hafnium oxide based RRAM

著者 (7件)： Qi Yanfei (School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Zhao Chun (Department of Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Fang Yuxiao (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Lu Qifeng (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Liu Chenguang (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Yang Li (Department of Chemistry, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China) ,  Zhao Ce Zhou (School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々のコンプライアンス電流(1mA, 5mA, 10mA, 15mA)を設定することによりTi上部電極を用いたHfO_2,Al_2O_3とHfAlO_x(Hf:Al=9:1)ベースRRAMの基本スイッチング挙動を比較した。HfO_2系RRAM(20 → 320)の抵抗比はコンプライアンス電流と共に増加するが,Al_2O_3系RRAM(85→54)のための明らかには低下した。HfAlO_x(Hf:Al=9:1))ベースのものが最も良い抵抗比(300-440)と抵抗安定性を示した。全三試料の低抵抗状態(LRS)の抵抗値は大きなコンプライアンス電流で約100Ωであるはそれに応じて比の差を引き起こすHRS抵抗の差であった。抵抗スイッチングの主要な機構は酸素空格子点から成る導電性フィラメントの形成と破壊である。高k材料に適したコンプライアンス電流選択とドーピング技術が今後の研究において考慮すべきである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *スイッチング ,  *コンプライアンス ,  *電流 ,  チタン
準シソーラス用語： 高誘電率材料 ,  導電性フィラメント ,  酸素空格子点 ,  抵抗スイッチング ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化ハフニウム ,  RRAM ,  スイッチング ,  挙動 ,  コンプライアンス