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J-GLOBAL ID：201702255766378854   整理番号：17A0132704

3D大面積構造上への原子層堆積法のモンテカルロ法シミュレーション:ピラー型と孔型構造に対する必要な前駆体曝露量

Monte Carlo simulations of atomic layer deposition on 3D large surface area structures: Required precursor exposure for pillar- versus hole-type structures

著者 (4件)： Cremers Veronique (Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 281/S1, Ghent 9000, Belgium) ,  Geenen Filip (Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 281/S1, Ghent 9000, Belgium) ,  Detavernier Christophe (Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 281/S1, Ghent 9000, Belgium) ,  Dendooven Jolien (Department of Solid State Sciences, Ghent University, Krijgslaan 281/S1, Ghent 9000, Belgium)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B115-01B115-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたコンフォーマル性のために,原子層堆積法(ALD)は,陽極酸化アルミナ(AAO),シリコンピラー,ナノワイヤ,カーボンナノチューブなどの3次元的な大表面積構造を被覆し機能付与するための主要な方法となってきた。大面積構造は,しばしば擬1次元的孔の並び(前駆体ガスはその中に侵入する必要がある,例えばAAO),もしくはピラーの”林”(ここでは前駆体ガスがピラー周辺の3D空隙を通じて表面に到達できる)で構成される。完全な3Dモンテカルロ法モデルを用いて,孔の無限配列上とピラーの無限配列上への堆積を比較した。予測されたように,孔の配列をコンフォーマルに覆うために必要な曝露量は,個々の孔の高さと幅の比によって決まり,配列の中での間隔には依存しないことが見られる。ピラーの場合は,中心間距離が減少するにつれて必要な曝露量は増加し,極限では孔の配列の場合の曝露量に収斂する。今回のシミュレーションにより,20-100の範囲の比表面積拡大因子を目指す場合,十分に間隔を空けたピラー形状は孔形状に比べ2-30分の一の必要前駆体曝露量で済み,したがってALDと適合性が良いことが示される。必要曝露量の相違は,初期の付着確率と構造寸法とに依存することが示される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  面積 ,  三次元 ,  *被覆 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  *細孔構造 ,  *共形不変性 ,  間隔 ,  *前駆体 ,  用量 ,  酸化アルミニウム ,  ケイ素 ,  ナノ構造 ,  ナノワイヤ ,  カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  大面積 ,  ナノ柱 ,  曝露量 ,  陽極酸化アルミナ

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 3D ,  大面積 ,  原子層堆積法 ,  モンテカルロ法 ,  シミュレーション ,  ピラー ,  孔型 ,  前駆体 ,  曝露量