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J-GLOBAL ID：201702255893387185   整理番号：17A0549541

Si(111)-(√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)-In表面超伝導体へのCuPc/F₁₆CuPcによる表面ドーピング

著者 (5件)： 山田洋一 (筑波大) ,  角直也 (筑波大) ,  佐々木正洋 (筑波大) ,  吉澤俊介 (物質材料研究開発機構) ,  内橋隆 (物質材料研究開発機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-301-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶方位 ,  *インジウム ,  吸着 ,  超伝導 ,  *ドーピング ,  *転移温度 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  光電子スペクトル
準シソーラス用語： *Si(111) ,  超伝導転移温度

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  超伝導体 ,  CuPc ,  ドーピング