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J-GLOBAL ID：201702256046060978   整理番号：17A1033169

CuキャップCo-C層からのSiO_2上の多層グラフェンの直接堆積のための電流増強固体相析出(CE SPP)【Powered by NICT】

Current enhanced solid phase precipitation (CE-SPP) for direct deposition of multilayer graphene on SiO₂ from a Cu capped Co-C layer

著者 (2件)： Ichikawa Hiroyasu (Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology (SIT), Tokyo, Japan) ,  Ueno Kazuyoshi (Graduate School of Engineering and Science, Shibaura Institute of Technology (SIT), Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 244-246  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相互接続応用のためのSiO_2上に直接堆積した多層グラフェン(MLG)の結晶化度を改善するために,電流ストレスを含む新しい固相沈殿(SPP)過程を研究した。CuキャップCo-C層から析出したMLG結晶度は垂直電流による改善されたCu/Coで水平電流ではなくできることが分かった。電流増強SPP(CE SPP)はSiO_2上に直接堆積したMLG結晶度を改善するための手段として期待されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互接続 ,  結晶度 ,  *電流 ,  *固相 ,  沈殿
準シソーラス用語： 電流ストレス ,  *多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： Cu ,  キャップ ,  CO ,  多層グラフェン ,  堆積 ,  増強 ,  固体相 ,  析出 ,  Ce ,  SPP