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J-GLOBAL ID：201702256085779594   整理番号：17A1388120

短波赤外検出のためのInGaAs/GaAsSbタイプII超格子に基づくフォトダイオード【Powered by NICT】

InGaAs/GaAsSb Type-II superlattice based photodiodes for short wave infrared detection

著者 (8件)： Uliel Y. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Uliel Y. (Applied Physics Department, Hebrew University, Jerusalem, Israel) ,  Cohen-Elias D. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Sicron N. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Grimberg I. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Snapi N. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Paltiel Y. (Applied Physics Department, Hebrew University, Jerusalem, Israel) ,  Katz M. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 84  ページ： 63-71  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs検出器(1.7 2.5μm)の応答カットオフ以上で動作する短波赤外(SWIR)光検出器は防御および土木応用の両方に必要である。II型超格子(T2SL)は,最近要求する範囲の中でのバンドギャップ調整を可能にする可能なシステムとして室温SWIR検出のために提案した。ここで示した研究は,InP基板に格子整合したInGaAsとGaAsSbの交互ナノ層を持つT2SLに焦点を当てた。2.4μmの室温近傍SWIRカットオフを測定した。電気接合は,Zn拡散pドーピングプロセスを用いて実現した。は両者をメサ及び選択的拡散に基づくp-i-nフォトダイオード実現し,研究した。メサベースデバイスの暗電流は,それぞれ300および230Kで1.5mA~2と32μA/cm~2であった。暗電流は選択的拡散過程を利用してそれぞれ1.2mA~2と12μA/cm~2に減少した。動作電圧の影響を検討した。300Kで量子効率は2.18μmで40%に達したメサ素子。D~*は,2μmで1.7×1010cm Hz/Wであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超格子 ,  光検出器 ,  量子効率 ,  リン化インジウム ,  暗電流 ,  *短波 ,  格子整合 ,  *フォトダイオード ,  拡散過程 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  バンドギャップ ,  ナノシート
準シソーラス用語： カットオフ ,  ナノ薄膜 ,  SWIR ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 短波 ,  赤外 ,  InGaAs ,  GaAsSb ,  タイプ ,  超格子 ,  フォトダイオード