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J-GLOBAL ID：201702256200906477   整理番号：17A1005259

グラフェン膜上に作製されたNiO_x/GaNマイクロディスクアレイを用いたフレキシブル抵抗ランダムアクセスメモリ素子

Flexible resistive random access memory devices by using NiO_x /GaN microdisk arrays fabricated on graphene films

著者 (10件)： LEE Keundong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jong-woo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  TCHOE Youngbin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Jiyoung (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG Kunook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Hosang (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sangik (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Chansoo (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Bae Ho (Konkuk Univ., Seoul, KOR) ,  YI Gyu-Chul (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 20  ページ： 205202,1-5  発行年： 2017年05月19日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン膜上にNiO_x/GaNマクロディスクを用いて作製したフレキシブル抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)について報告した。化学蒸着で作製したグラフェン膜上に成長させた離散的なGaNマイクロディスクアレイにNiO_x薄膜層の蒸着とAuの金属接触を施してReRAM素子を作り出した。マイクロディスクReRAMアレイを簡単なリフト-オフ技術によって柔軟性プラスチック基板に移した。本メモリ素子の電気的及びメモリ特性を曲げ条件下で調べた。累積確率,抵抗値,耐久性を含む安定な抵抗型スイッチング特性を観測した。1000回の曲げを繰り返した後,また180°Cでの高温作動下においても,デバイス特性にいかなる顕著な変化も見られなかった。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *グラフェン ,  *窒化ガリウム ,  化学蒸着 ,  耐久性 ,  特性 ,  酸化ニッケル ,  記憶媒体 ,  不揮発性メモリ ,  曲げ ,  微細加工
準シソーラス用語： ランダムアクセスメモリ ,  スイッチング特性 ,  *フレキシブルデバイス ,  マイクロディスク ,  非揮発性メモリ ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  リフトオフ法 ,  *ReRAM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン膜 ,  作製 ,  GaN ,  マイクロディスク ,  アレイ ,  抵抗ランダムアクセスメモリ