文献
J-GLOBAL ID:201702256219527306   整理番号:17A0274496

n型両面太陽電池のピラミッド維持テクスチャ表面中の片側除去をドープした層の方法【Powered by NICT】

Method of Removing Single-Side Doped Layer While Maintaining Pyramid Textured Surface of n-Type Bifacial Solar Cells
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 458-462  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
BBr_3とPOCl_3熱拡散は両面太陽電池製作におけるp型およびn型エミッタ形成のための広く使用されている技術である。BBr_3またはPOCl_3の片側ドーピングは高温で行われたガス拡散により達成することは困難である。,片側に予期しないドープした層の除去は両面太陽電池の作製に着手した。ドープした層を除去するためにスピンエッチング技術を実装したが,除去は平面表面をもたらし,関連する光学的損失は短絡電流の低下を介して細胞のbifacialityに影響する。本論文では,ドープ層が除去される側のピラミッドテクスチャを維持するための新しい方法を実証した。テクスチャ維持除去プロセスの効果を,走査型電子顕微鏡(SEM)および反射率測定を用いて調べた。SEM画像はテクスチャピラミッドのエッジは広くなることを示した。より広い端に起因した光学的損失は反射測定によって研究した。この新しい方法の可能性を調べるために,n型両面電池は,156mm×156mm,180μm厚n型擬Czochralski-Siウエハ上に作製し,電流-電圧パラメータは片側平面n型両面太陽電池と比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る